دوقطبی-سی‌ماس

BiCMOS یک تکنولوژی نیمه‌رسانای پیشرفته می‌باشد که در حقیقت دو تکنولوژی نیمه رسانای قبلی در ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای CMOS را یکجا در یک قطعه مدار مجتمع به ارمغان می‌آورد.[1][2] ترانزیستورهای پیوند دوقطبی دارای سرعت بالا، گِین بالا و مقاومت پائین در خروجی می‌باشند که مناسب برای بکارگیری در تقویت کننده‌های آنالوگ فرکانس بالا می‌باشند؛ در حالیکه تکنولوژی CMOS مقاومت بالا در طبقه ورودی را تضمین می‌کند که گزینهٔ ایده‌آلی برای ساخت مدارات سادهٔ منطقی با ولتاژ پائین می‌باشد. برای تمام مدتی که این دو تکنولوژی در ساخت بکار برده می‌شدند، طراحان مدار که از قطعات مجزا استفاده می‌کردند به مزیت ادغام کردن این دو تکنولوژی پی بردند؛ با این وجود، به دلیل ضعف تکنولوژیکی در ساخت مدارات مجتمع، کاربرد این طرح آزادانه فقط محصور به مدارات تقریباً ساده بود. مدارات گسسته متشکل از صدها یا هزاران ترانزیستور به سرعت شروع به اشغال صدها یا هزاران سانتی‌متر مربع از سطح مقطع بورد مدارات کردند، و برای مدارات با سرعت خیلی بالا از قبیل آنهایی که در کامپیوترهای دیجیتال مدرن امروزی استفاده می‌شوند، فواصل بین ترانزیستورها (و مینیموم ظرفیت خازنی اتصالات بین آنها) هم دستیابی به سرعت‌های مدنظر را به طرز باورنکردنی ای دست نیافتنی می‌کرد؛ بنابراین اگر این طرح‌ها به شکل مدارات مجتمع قابل ساخت نباشند، پس قابل پیاده‌سازی نخواهند بود.
در دهه ۹۰ میلادی، تکنولوژی‌های نوین ساخت مدارات مجتمع رؤیای ساخت مدارات BiCMOS را به حقیقت تبدیل کردند. این تکنولوژی به سرعت جایگاهی در ساخت تقویت کننده‌ها و مدارات آنالوگ مدیریت توان پیدا کرد و دارای مزایایی هم در منطق دیجیتال می‌باشد. مدارات BiCMOS به نحو احسن از خصوصیات هر دو نوع ترانزیستورهای کنار هم آمده استفاده می‌کند. اساساً این بدان معنی می‌باشد که مدارات با جریان‌دهی بالا از ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه رسانا اکسید فلز (MOSFET) برای کنترل بهینه سود می‌برند، و قسمت‌هایی از مدارات با بازدهی بالا از قطعات دو قطبی (BJT) بهره می‌برند.[3]